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1 - 10 ヒット数 61
  • Keithley I-V Curve Tracer
    Products

    カーブ・トレーサ|I-Vトレーサ・ソフトウェア

    2端子デバイス用カーブ・トレーサの使い慣れたユーザ体験を再現しながら、電流と電圧の両方で特性のトレースが可能。
  • Keithley Parametric S530
    Products

    半導体テスタ|パラメトリック・テスト・システム

    ウエハレベルの自動テストに対応した標準/カスタム構成システム
  • Keithley Kickstart Main Screen
    Products

    ケースレーKickStartソフトウェア

    複雑なプログラミングなしで、わずか数分で測定を開始できます。ベンチ機器およびテクトニクス・オシロスコープ用機器制御ソフトウェアにより、I-V特性評価などを実施できます。
  • カーブ・トレーサとI-Vカーブ・トレーサ・ソフトウェアとの比較
    Blog Entry

    カーブ・トレーサとI-Vカーブ・トレーサ・ソフトウェアとの比較

    カーブ・トレーサは、 ダイオード、トランジスタ、サイリスタなどの半導体デバイスの特性を解析して、I-V曲線をトレースするために 使用する基本的な電子テスト・デバイス です。 故障解析やパラメトリック特性評価などのデバイス信頼性用途でよく使用されます。 テクトロニクスは、1955年に真空管の特性曲線を表示する業界初のカーブ・トレーサを発表しました。長年にわたり、トランジスタ、ダイオード …
  • MOSFET I-V曲線の測定方法
    Blog Entry

    MOSFET I-V曲線の測定方法

    MOSFETが正しく機能し、仕様を満たしていることを確認する最良の方法の1つが、I-V曲線をトレースすることによって特性を決定する方法です。I-Vテストが必要な出力特性は多数あります。ゲートリーク電流、ブレークダウン電圧、スレッショルド電圧、伝達特性、ドレイン電流などはすべて、I-V特性をトレースし、デバイスの正常な動作を確認するだけで導き出すことができます。 ケースレーの …
  • 低コストカーブトレーサで不良解析
    Videos, Webinars and Demos

    低コストカーブトレーサで不良解析

    カーブトレーサについて大型、高価、修理不可などのお悩みはありませんか?ケースレーのI-Vトレーサではこれをすべて解決。従来同様に操作可能、電圧電流印加、パルス/ACモードも対応。2端子デバイスの不良解析に最適です
  • 低コストカーブトレーサでIC検査
    Videos, Webinars and Demos

    低コストカーブトレーサでIC検査

    I-VトレーサはSMUに搭載された機能で、従来のカーブトレーサ同様、ノブによりリアルタイムで印加カーブを調整可能です。ダイオードなどの2端子デバイス評価やIC不具合検査などに最適です。ここではI-Vトレーサを用いたIC不具合検査の事例をご覧いただけます。
  • 工場認定校正
    Service Solutions

    工場認定校正

    テクトロニクスおよびケースレー製品の工場認定校正を提供できるのは当社だけです。高精度な測定はお客様のビジネスの成功に不可欠であるだけでなく、お客様が製造されている製品の品質に直接反映される重要な要素でもあります。新しい回路設計を測定する場合も、量産品をスポットチェックする場合も、当社が提供する工場認定校正を活用することで、測定結果の精度を高め、コンプライアンスを確保してください。 工場認定校正を選択する理由 テクトロニクス、ケースレー、およびOEMメーカ以上に …
  • 漏れ電流(リーク電流)測定方法|高電圧半導体デバイス
    Technical Document

    漏れ電流(リーク電流)測定方法|高電圧半導体デバイス

    ソース・メジャー・ユニット(SMU)と KickStartソフトウェアを使用した高電圧半導体デバイスのブレークダウンと漏れ電流測定 はじめに 長年の研究と開発により、シリコンカーバイド(SiC)と窒化ガリウム (GaN)系パワーデバイスは、より現実的な選択肢になりつつあります。SiCとGaNへのシフトは、新しいデザインを可能にしています。SiC はハイパワー・アプリケーション向けに高電圧で高電力を駆動する能力を備え、GaNは中低電力アプリケーション向けに超高電力密度を備えており …
  • 漏れ電流(リーク電流)測定方法|高電圧半導体デバイス
    Technical Document

    漏れ電流(リーク電流)測定方法|高電圧半導体デバイス

    ケースレーは、ハイパワー半導体デバイスのテストでは、長い歴史と多くのノウハウを持っております。最近、2470型1100Vグラフィカル・ソースメータを発売し、SiC及びGaNデバイス・テストにおける困難な測定に対応します。このアプリケーションノートでは、2470型ソースメータ及びKickStartソフトウェアを使用した、高電圧半導体デバイス試験のためのアプリケーションをご紹介します。