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ハイパワー半導体デバイスの特性評価に対応した完全なソリューション

2端子デバイス用カーブ・トレーサの使い慣れたユーザ体験を再現しながら、電流と電圧の両方で特性のトレースが可能。

カーブトレーサについて大型、高価、修理不可などのお悩みはありませんか？ケースレーのI-Vトレーサではこれをすべて解決。従来同様に操作可能、電圧電流印加、パルス／ACモードも対応。２端子デバイスの不良解析に最適です

ソース・メジャー・ユニット（SMU）と KickStartソフトウェアを使用した高電圧半導体デバイスのブレークダウンと漏れ電流測定 はじめに 長年の研究と開発により、シリコンカーバイド（SiC）と窒化ガリウム （GaN）系パワーデバイスは、より現実的な選択肢になりつつあります。SiCとGaNへのシフトは、新しいデザインを可能にしています。SiC はハイパワー・アプリケーション向けに高電圧で高電力を駆動する能力を備え、GaNは中低電力アプリケーション向けに超高電力密度を備えており …

ケースレーは、ハイパワー半導体デバイスのテストでは、長い歴史と多くのノウハウを持っております。最近、2470型1100Vグラフィカル・ソースメータを発売し、SiC及びGaNデバイス・テストにおける困難な測定に対応します。このアプリケーションノートでは、2470型ソースメータ及びKickStartソフトウェアを使用した、高電圧半導体デバイス試験のためのアプリケーションをご紹介します。