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1 - 10 ヒット数 14

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Products
2606BシリーズSMU

VCSEL、レーザ・ダイオードの製造テスト LEDの製造テストトランジスタの特性評価

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最終更新日： Thursday, April 20, 2023
Products
ケースレー・テスト・スクリプト・ビルダ

TSP対応機器用のTSPテスト・スクリプトを作成、変更、デバッグ、および管理できます。

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最終更新日： Thursday, February 10, 2022
Technical Document
漏れ電流（リーク電流）測定方法｜高電圧半導体デバイス

ケースレーは、ハイパワー半導体デバイスのテストでは、長い歴史と多くのノウハウを持っております。最近、2470型1100Vグラフィカル・ソースメータを発売し、SiC及びGaNデバイス・テストにおける困難な測定に対応します。このアプリケーションノートでは、2470型ソースメータ及びKickStartソフトウェアを使用した、高電圧半導体デバイス試験のためのアプリケーションをご紹介します。

1KW-61601-0 | Date: Tuesday, August 20 2019
Technical Document
漏れ電流（リーク電流）測定方法｜高電圧半導体デバイス

ソース・メジャー・ユニット（SMU）と KickStartソフトウェアを使用した高電圧半導体デバイスのブレークダウンと漏れ電流測定はじめに長年の研究と開発により、シリコンカーバイド（SiC）と窒化ガリウム（GaN）系パワーデバイスは、より現実的な選択肢になりつつあります。SiCとGaNへのシフトは、新しいデザインを可能にしています。SiC はハイパワー・アプリケーション向けに高電圧で高電力を駆動する能力を備え、GaNは中低電力アプリケーション向けに超高電力密度を備えており …

Date: Wednesday, December 13 2023
Technical Document
エレクトロメータとピコアンメータ｜微小電流計

ケースレー高抵抗／低電流電位計6500／6430シリーズ最高レベルの感度を誇る電流／電荷測定機器ケースレー6400シリーズ・ピコアンメータ高速でコスト効率が高い低電流測定ソリューションケースレーナノボルトメータ2182A型 …

Date: Wednesday, November 13 2013
Technical Document
USB 2.0物理レイヤ・テスト

USB 2.0対応のデバイス設計、特性評価および動作確認に携わっているエンジニアは、製品の市場投入のスピードアップを日々迫られています。当社の測定パッケージでは、USB-IF (USB Implements Forum, Inc.) 推奨のすべてのコンプライアンス・テストが、すばやく、正確に実行できます。

55W-61400-0 | Date: Wednesday, February 02 2011
Technical Document
テクトロニクスAFG31000シリーズ任意波形／ファンクション・ジェネレータを使用したダブル・パルス・テスト

はじめにパワー・エレクトロニクスで使用される半導体材料は、シリコン（ケイ素）からSiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）などのワイド・バンドギャップ半導体に移行しつつあります。SiCやGaNは、自動車や産業分野のアプリケーションにおいて、優れた性能を示しています。GaNやSiCを使用することで、設計はより小型に、高速に、効率的になります。高電圧のパワー・エレクトロニクス設計では、規制、経済的な観点からより高い効率が求められています。小型、軽量設計によるパワー密度の利点は …

Date: Wednesday, September 14 2022
Datasheet
3シリーズMDO

3 シリーズ MDO データシートには、製品の機能、重要な仕様、および注文情報の概要が記載されています。

48Z-61535-9 | Date: Friday, May 19 2023
Datasheet
5シリーズB MSO

5 シリーズ B MSO データシートには、製品の機能、重要な仕様、および注文情報の概要が記載されています。

48Z-73851-3 | Date: Thursday, September 28 2023
Datasheet
6シリーズB MSO

6 シリーズ B MSO データシートには、製品の機能、重要な仕様、および注文情報の概要が記載されています。

48Z-61716-09 | Date: Thursday, September 28 2023