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MOSFETの安全、正確、高速なテスト
Si、SiC、GaNデバイス用
パワー半導体デバイスの市場投入までの時間を短縮
現在、自動車やRF通信などの要求の厳しいアプリケーションにワイド・バンドギャップ半導体(SiC、GaNなど)が従来のシリコンと共に使用されています。その理由は、高周波、高電圧、高温で動作でき、電力損失が少ないからです。しかし、従来のシリコン設計の効率向上によって、強力な価値提案が多くの好況市場で維持できるようになっています。パワー半導体デバイスを市場に早く投入し、市場でのデバイスの障害を最小化しましょう。
広範な電力エンベロープ
デバイスのウエハ部分またはパッケージ部分の電気的性能を手動で特性評価するには、低レベル測定の新しい技術、機器、およびプロービング・インフラを学ぶ必要があります(高い降伏電圧が存在する場所でのpAのリーク電流の測定など)。ケースレーの電源デバイス・テスト・ソリューションは、最大100Aのソース電流と最大3,000Vの電圧の他に、オン状態とオフ状態の間で、複雑で時間がかかることが多い設定変更の最適化が可能です。

代表的なオン状態の測定セットアップ
テストの安全な設定

8010型ハイパワー・デバイス・テスト・フィクスチャを使用すると、最大3kVまたは100Aのハイパワー・デバイスに安全に、簡単に接続し、テストできます。
高電圧テストを安全にセットアップし、迅速に結果を得る必要もあります。これを手動で設計するには、プログラミングの専門知識および安全基準に準拠したシステムを設計して構築する能力が必要です。これを自分で行う必要はありません。8010型 - パワー・デバイス・テスト・フィクスチャを使用すると、最大3,000Vまたは100Aのパッケージ化された部品に安全に接続してテストできます。一般的なI-Vテストを素早く簡単に実行しましょう。ACS-BASICによるプログラミングは不要です。
市場投入までの時間を半分に短縮するデバイスの特性評価
小さい電力エンベロープを必要とする従来のSiやGaNのようなデバイスでは、すばやく結果を得て、市場投入までの時間要求を満たします。そのためには、最大200V、1Aのすべての特性評価テストを自動化できる4200Aシリーズ・パラメータ・アナライザを使用します。

4200A-SCS型パラメータ・アナライザ
ワイド・バンドギャップ・デバイスの高価な過大設計の回避
流動的な差動測定(ハイサイドVgなど)は、高周波(高速オン/オフ)、高いコモン・モード電圧(Vdsなど)が存在するため実行が困難または不可能です。その理由は、オシロスコープのプローブには高帯域でのコモン・モードの除去が十分ではないためです。不十分なコモン・モードの除去によって、測定値は実際の差動信号ではなく、コモン・モードのバラツキの影響を大きく受けます。テクトロニクスには、GaNデバイスとSiCデバイスの動作要件の周波数でも出力が下がらない絶縁プローブ(ISOVu)があります。これによって、正確な差動測定を実現できます。また、伝導損失、デッドタイム、スイッチング・ロスを正確に計算して実証できます。さらに、統合型のゲート・ドライバを使用していない場合、流動的な差動測定を実行できる機能によって、デバイスのオン/オフのデッドタイムを正確に測定して制御できます。また、ハード・スイッチング中に生成される過渡電圧(dv/dt)および過渡電流によるパワー・コンバータからの高周波放射の過大評価を回避できるようになりました。
注意すべきもう一つのことは、スイッチング周波数が高いときのプローブ容量の影響です。プローブ容量が大き過ぎると、測定で立上りエッジが丸くなり、重要な高周波スイッチング特性が失われます。また、非常に微妙な流動的ゲート信号にプロービングすると、過渡信号によってキャパシタンスの充電が起こりデバイスを損傷する可能性があります。ISOVuプローブの容量は小さいため、ゲートでのプローブ容量の問題や過渡信号によるデバイスの損傷のリスクも最小化されます。

IsoVuプローブにより、ハイサイドのゲート電圧波形を正確に取り込み、dV/dtを低下することなくスイッチング性能および信頼性を評価して最適化できます。
コンテンツ
ウエハ上のパワー半導体デバイス・テストの接続問題を解決
アプリケーション・ノート
接続変更、ユーザが間違える可能性、およびパワー半導体デバイスの包括的なDC I-VおよびC-Vテスト実行時のフラストレーションを最小化する方法の詳細を学びましょう。
MOSFETとMOSCAPデバイスの特性評価の簡素化
eガイド
このeガイドでは、半導体測定の改善について、特にDC I-V測定お、容量-電圧(C-V)測定についてよくある質問に回答します。また、特定のアプリケーションについて、最も困難な用途で必要とされる測定を簡単にする方法も説明します。
テクトロニクスのIsoVu測定システムは、パナソニックの半導体ソリューションを支援し、新しいGaNデバイスの開発時間を大幅に短縮しました
導入事例
このケース・スタディでは、パナソニックがテクトロニクスの高性能IsoVu測定システムをどのように使用し、ハイサイドのゲート電圧波形を正確に観察し、dV/dtを低下することなくスイッチング性能および信頼性を評価して最適化したかを説明します。このシステムによって、ハーフブリッジ回路および信号の解析に必要な時間が大幅に短縮されました。
DC I-VとC-V測定時間を半分に短縮
4200A-SCS型

4200A-SCS型があれば、半導体デバイス、材料、プロセス開発の研究や信頼性/障害解析の効率が大幅に改善されます。高性能パラメータ・アナライザを使用すると、電流-電圧(I-V)測定、容量-電圧(C-V)測定、超高速パルスI-V測定の同期が可能です。
4200A-SCS型のClarius™ GUIベースのソフトウェアは、クリアで妥協のない測定と解析機能を提供します。Clariusソフトウェアには、測定の専門技術およびすぐに使用できる数百のアプリケーション・テストが組み込まれているため、素早く自信を持って研究を掘り下げることができます。
4200A-SCS型パラメータ・アナライザは、すべての機能がカスタマイズ、アップグレードに対応しているため、必要な機能を今すぐ、あるいは後から追加できます。4200A-SCS型パラメータ・アナライザがあれば、困難な測定をかつてないほど簡単に実行できます。
ハイパワー・デバイスの特性評価に対応した完全なソリューション
パラメトリック・カーブ・トレーサ構成

MOSFETS、IGBT、ダイオード、その他のハイパワー・デバイスを開発および使用するには、破壊電圧、オン状態電流、容量の測定など、デバイスレベルの包括的な特性評価が必要です。 ケースレーのハイパワー・パラメトリック・カーブ・トレーサ・シリーズでは、あらゆるデバイス・タイプおよびテスト・パラメータがサポートされています。 ケースレーのパラメトリック・カーブ・トレーサには、特性評価を担当するエンジニアが完全なテスト・システムを迅速に開発するために必要なものすべてが含まれています。
パワー半導体およびコンポーネントの特性評価
2650Aシリーズ

2650Aシリーズ・ハイパワー・ソースメータ®SMUは、ダイオード、FET、IGBT、高輝度LED、DC-DCコンバータ、バッテリ、太陽電池やその他のハイパワー材料、コンポーネント、モジュール、サブアセンブリなどの高電圧/電流エレクトロニクスやパワー半導体の特性評価およびテスト専用に設計されています。研究開発、製造テスト、信頼性テスト環境の生産性を高める、類を見ない出力、精度、速度、柔軟性、使いやすさを実現します。最大3,000Vまたは最大2,000Wのパルス電流出力に対応する2つの機器を用意しています。
ワイド・バンドギャップの設計時間の短縮
IsoVu絶縁プローブ

IsoVu®プローブは、今日の厳しいパワー測定の課題に最適なツールです。このプローブは、業界をリードする1GHzの帯域幅、160dBまたは1億対1のコモン・モード除去、60kVのコモン・モード電圧、± 2,500Vの差分範囲と優れたプローブ負荷性能を持っています。
拡張電源測定および解析
5シリーズMSOミックスド・シグナル・オシロスコープ

最新式のピンチ - スワイプ - ズーム操作に対応したタッチスクリーンによるユーザ・インタフェース、業界トップクラスの大型HDディスプレイ、1つのアナログ信号か8つのデジタル信号の測定が可能なFlexChannel™入力を、4/6/8チャンネル備えた5シリーズMSOは、今直面している課題だけでなく、今後登場が予想される新しい課題にも対応できます。 性能、解析機能、そしてユーザ・エクスペリエンス全般についても、新しい基準を提示する製品です。