パワー半導体の自動パラメトリック・テスト(ワイド・バンドギャップ(SiC、GaN)を含む)

高電圧でのウエハ・レベルの完全自動テスト

スループットを上げ、テストのコストを軽減する

低コストのテストで、高スループットを実現

WLR、PCM、ダイソートに使用される従来のテスト・システムには、新しい効率要件(高電圧、低リーク電流、低オン抵抗)に対応するための測定ダイナミック・レンジまたは分解能を備えていないか、低電圧テストと高電圧テストを切り替えるために時間のかかる手作業による再構成が必要です。ファブの生産目標を達成するために、低電圧テストと高電圧テスト用の2つの異なるテスト・システムを手動で切り替える必要はなくなりました。1回のプローブ・タッチダウンで最大3kVのウエハ・レベルの完全自動テストを実行できるのはケースレーだけです。

テスト・セットアップを変更せずに高電圧から低電圧に移行します。

機器またはテスト・セットアップを変更せずに、1回のパスで高電圧と低電圧のすべてのテストを実行します。完全な3kVソーシング機能とサブpA測定分解能とを組み合わせることにより、高電圧ブレークダウン・テストから低電圧ブレークダウン・テストに移行する際、テスト・セットアップを再構成したり、2つの異なるテスト・システムを使用したりする必要がなくなります。手動によるケーブルとプロービングによる接続の問題を最小限に抑えます。高品質の測定を実施して疑似故障を軽減します。製造プロセス・パラメータを調整して生産量を最大化することで、信頼性の高いテスト結果を得ます。

このブレークダウン・テストでは、電圧はステップごとに20msと100msの2つの異なるランプ率で最大1800Vまで上昇します。高ランプ率(遅い遅延時間)では測定電流は100pAから1nAまで上昇しました。高ランプ率では、大半の電流は置換電流(~ 1nA)です。

手動による再構成を行わずにキャパシタンスを測定する

複雑な3端子測定を含む、すべてのキャパシタンス・テストを自動化します。ケースレーの高電圧スイッチ・マトリックスでは、速度、エネルギー、電荷などのスイッチ特性を迅速に評価するために、2端子または3端子のトランジスタ・キャパシタンス測定を完全に自動化します。

テスト・ピンを手動で再構成することなく、
Ciss、Coss、Crssなどのトランジスタ容量を最高3kVまで測定可能

高速自動化

さまざまな電流レベルの接続力測定の感度と標準的な実行時間。

システムのすべての要素間での高速トリガ、タイミング、同期を可能にするケースレーのテスト・スクリプト・プロセッサ(TSP)テクノロジおよび仮想バックプレーン(TSP-Link)を使用して、テスト時間を最小限に抑え、テスト・スループットを最大化し、テストのコストを軽減します。

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