研究室やウエハ・テスト環境でのSi、SiC、GaNのMOSFETのテストを安全、正確、迅速に実行できます。SiC、GaNを設計に採用した結果生ずるテストの課題とその解決方法について学びます。最終製品の電力消費を最小化し、バッテリ寿命を最大化する方法を探ります。設計から市場投入までの時間を加速します。
パワー・デバイスの特性評価
- Si、SiC、GaNデバイスのMOSFETの安全、正確、迅速なテスト
- 広範な電力エンベロープ
- テストの安全なセットアップ
- 市場投入までの時間を半分に短縮する、デバイスの特性評価
- ワイド・バンドギャップ・デバイスの高価な過大設計の回避
電力効率向上により用途を拡大