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テクトロニクス担当者とライブ・チャット： 午前9時～午後5時00分 JST
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電力効率
研究室やウエハ・テスト環境でのSi、SiC、GaNのMOSFETのテストを安全、正確、迅速に実行できます。SiC、GaNを設計に採用した結果生ずるテストの課題とその解決方法について学びます。最終製品の電力消費を最小化し、バッテリ寿命を最大化する方法を探ります。設計から市場投入までの時間を加速します。
パワー・デバイスの特性評価
- Si、SiC、GaNデバイスのMOSFETの安全、正確、迅速なテスト
- 広範な電力エンベロープ
- テストの安全な設定
- 市場投入までの時間を半分に短縮するデバイスの特性評価
- ワイド・バンドギャップ・デバイスの高価な過大設計の回避
PDNにおけるパワー・インテグリティの解析
- DCブロックなしで高周波リップルの測定が可能
- 1～48V以上の電源に対応
- 計測システムに由来するノイズを最小化
- PDNインピーダンス測定
- 同期されたスペクトルと波形によるノイズ発生源の特定
- 自動パワーレール測定機能
電力効率向のアプリケーション