材料科学

シリコンベースの化合物半導体、太陽電池用の薄膜、グラフェン等のナノスケール材料といった未来の材料/デバイスの開発者は、半導体技術、電気機器、医療機器、ヘルス・ケア分野への新たな応用の最前線に立っています。最新技術と優れた技法を使用することで、さまざまな先進材料の正確な電気特性評価が可能です。

  • 電気化学特性評価
  • ナノスケール材料の測定
  • グラフェン・デバイス構造のホール効果テスト
  • 化合物半導体デバイス/材料のパルスI-Vテスト
  • 集束イオン・ビーム電流監視
  • ナノ結晶の特性評価
  • 太陽電池のC-V特性評価
  • 半導体パラメータ解析
  • 超低電流測定

新しい材料/デバイスの電気特性評価を可能にする包括的なソリューションを通して、当社は皆さまが創造力を高め、世界を変えていくお手伝いをさせていただきます。

ライブラリ

Title
Performing Cyclic Voltammetry Measurements Using 2450-EC or 2460-EC Electrochemistry Lab Systems

This application note outlines using either a 2450-EC or 2460-EC Electrochemistry Lab System to perform cyclic voltammetry using the built-in test script and electrochemistry translation cable accessory kit.

Leakage Current and Insulation Resistance Measurements
Characterizing Nanoscale Devices with Differential Conductive Measurements

With appropriate instrumentation, the four-wire source current/measure voltage method is a great improvement over older differential conductance measurements, which are slow, noisy, and complex.  The new technique's single sweep shortens hours of data collection to a few minutes, while improving accuracy.

Hall Effect Measurements Essential for Characterizing High Carrier Mobility
Electrical Characterization of Carbon Nanotube Transistors (CNT FETs) with the Model 4200-SCS Semiconductor Characterization System
Four-Probe Resistivity and Hall Voltage Measurements with the Model 4200-SCS
Resistivity Measurements Using the Model 2450 SourceMeter SMU Instrument and a Four-Point Collinear Probe
Making High Resistance Measurements on Small Crystals in Inert Gas or High Vacuum w/ the Model 6517A
Title
Tips and Techniques to Simplify MOSFET/MOSCAP Device Characterization

This webinar presents a new process that makes characterization and parameter extraction easier and quicker. We'll be discussing the extraction of common parameters as well as which tests to run to get the most information about your device.

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