材料科学

新しい材料の可能性を引き出す

シリコンベースの化合物半導体、太陽電池用の薄膜、グラフェン等のナノスケール材料といった未来の材料／デバイスの開発者は、半導体技術、電気機器、医療機器、ヘルス・ケア分野への新たな応用の最前線に立っています。最新技術と優れた技法を使用することで、さまざまな先進材料の正確な電気特性評価が可能です。

新しい材料／デバイスの電気特性評価を可能にする包括的なソリューションを通して、当社は皆さまが創造力を高め、世界を変えていくお手伝いをさせていただきます。

ホール効果測定が材料の特性評価用途に幅広く用いられている理由を見てみましょう。

バックグラウンド電流により抵抗と抵抗率の正確な測定が困難になる理由を見てみましょう。

このアプリケーション・ノートは、ポテンショスタットを使用して内蔵のテスト・スクリプトと電気化学変換ケーブル・アクセサリ・キットでサイクリック・ボルタンメトリを行う方法を説明しています。

プログラミングなしでデバイスや材料をすばやく、簡単に特性評価する方法を見てみましょう。

グラフィカル・タッチスクリーンの採用により、指先で簡単に操作できます。

電気化学ラボ向けの高確度かつ低コストの代替ソリューションです。

4200-SCS型は、材料、半導体デバイス、およびプロセスの電気特性評価に対応したモジュラ形式の完全統合型パラメータ・アナライザです。

Title
Performing Cyclic Voltammetry Measurements Using 2450-EC or 2460-EC Electrochemistry Lab Systems This application note outlines using either a 2450-EC or 2460-EC Electrochemistry Lab System to perform cyclic voltammetry using the built-in test script and electrochemistry translation cable accessory kit.
Leakage Current and Insulation Resistance Measurements
Characterizing Nanoscale Devices with Differential Conductive Measurements With appropriate instrumentation, the four-wire source current/measure voltage method is a great improvement over older differential conductance measurements, which are slow, noisy, and complex. The new technique's single sweep shortens hours of data collection to a few minutes, while improving accuracy.
Hall Effect Measurements Essential for Characterizing High Carrier Mobility
Electrical Characterization of Carbon Nanotube Transistors (CNT FETs) with the Model 4200-SCS Semiconductor Characterization System
Four-Probe Resistivity and Hall Voltage Measurements with the Model 4200-SCS
Resistivity Measurements Using the Model 2450 SourceMeter SMU Instrument and a Four-Point Collinear Probe
Making High Resistance Measurements on Small Crystals in Inert Gas or High Vacuum w/ the Model 6517A

The webinar covers semiconductor and other material characterization using Hall…

Duration: 31:10

此网络研讨会涵盖使用霍尔效应和范德堡测量法的半导体和其他材料检定以计算其他参数中的样品电阻率和迁移率，以及如何为这些非常专业的测量选择合适的设备…

Duration: 31:10

タイトル
Use Hall Effect Measurements for the Characterization of New and Existing Materials
Tips and Techniques to Simplify MOSFET/MOSCAP Device Characterization	This webinar presents a new process that makes characterization and parameter extraction easier and quicker. We'll be discussing the extraction of common parameters as well as which tests to run to get the most information about your device.