SiCやGaNといった新しい半導体材料の多くは、開発時に特有の課題を持っています。

  • 半導体のDC特性評価では、包括的なI-V、C-V、および高速パルス測定が必要になります。
  • ハイパワー半導体デバイスのテストでは、電圧/電力レベルの増大、スイッチング時間の短縮、ピーク電流の増大、リーク電流の低減が一層求められます。
  • 半導体製造環境では、自動化、プローブ・ステーションの統合、ダイ・ソートに適した速度とスループット、ウエハ受け入れテストおよび信頼性テストが必要です。

高速のデジタル・インタフェースを利用するには、PHY検証サイクルの迅速化が必須です。デバッグ速度、プロトコル・デコード速度、および各種ノイズ・ソース(クロストークなど)に由来するジッタ/ノイズの特定速度を向上させることは、設計者にとって重大な要件です。

数多くの電気検証試験を短時間で実施する必要性

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